超低功耗CMOS SRAM
1M ×16位
绿色包装材料，符合RoHS
BS616LV1611
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 46毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流：
16uA （最大）在85℃
工作电流（最大） 115毫安在55ns
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流：
为100uA （最大）在85℃
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV1611是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为1048576
并经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
16 / 100uA的在Vcc = 3 / 5V的电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV1611具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1611可提供48引脚TSOP I型封装，
48球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
BS616LV1611FI
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
BS616LV1611TI
100uA
16uA
10mA
50mA
115mA
2mA
20mA
46mA
BGA-48-0912
TSOP I- 48
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
NC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A19
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
A19
A8
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
CE2
NC
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BS616LV1611TC
BS616LV1611TI
1024 x 16384
16384
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
1024
列解码器
10
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
WE
A11
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3 A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1611
1
调整
2.4
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
