超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV1010
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 25毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.5 / 1.5uA （最大）在八十五分之七十ç
工作电流： 45毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
5毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 3 / 5UA （最大）在八十五分之七十ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=2.7~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.4~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV1010是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
1.5 / 5UA在Vcc = 3 / 5V的电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV1010DC
BS616LV1010AC
BS616LV1010EC
BS616LV1010AI
BS616LV1010EI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
骰子
3.0uA
0.5uA
4mA
24mA
44mA
1.5mA
14mA
24mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
5.0uA
1.5uA
5mA
25mA
45mA
2mA
15mA
25mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616LV1010EC
BS616LV1010EI
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1010
1
调整
2.7
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
