BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×8位
描述
BS62LV1024
•宽的Vcc工作电压： 2.4V 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I-等级： 25毫安（最大）工作电流
0.02uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 35毫安（最大）工作电流
I-等级： 40毫安（最大）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
该BS62LV1024是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 131072字静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3V工作电压为70ns的0.02uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1024具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1024可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 300MIL塑料SOJ ， 600mil塑料DIP ， 8mmx13.4mm
STSOP和8mmx20mm TSOP 。
P 2 O宽E R D所为S IPAT IO ñ
的TA N D B Y形
Ø P·E·R锡克
（ IC C， M A X）
产品系列
产品
˚F A M ILY
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 S·C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 T C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 S T C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 P·C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 J·C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 D C
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 S I
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 T I
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 S T I
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 P I
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 J I
B·S 6 LV 2 1 0 2 4 D I
Ø P·E·R AT G中
T E M·P é R成为ü ř Ë
VCC
范围
速度
（N S）
V CC = 3V
(
IC Ç S B 1 ， M A X）
Vcc=5V
V CC = 3V
PKG型
S 0 P -3 2
牛逼S 0 P -3 2
S T S 0 P -3 2
P（D） IP -3 2
S 0 Ĵ -3 2
ð ê IC
S 0 P -3 2
牛逼S 0 P -3 2
S T S 0 P -3 2
P（D） IP -3 2
S 0 Ĵ -3 2
ð ê IC
V CC = 5V
V CC = 3V
+ 0
O
C至+ 7 0
O
C
2 .4 V ~ 5 .5 V
70
3 0.0 ü - 答
1.0 ü - 答
35米一
20米一
-4 0
O
C至+ 8 5
O
C 2 0.4 V〜 5 .5 V
70
5 0.0 ü - 答
1.5 ü - 答
4000万
2500万
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
BS62LV1024SC
27
BS62LV1024SI
26
BS62LV1024PC
25
BS62LV1024PI
24
BS62LV1024JC
BS62LV1024JI
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
•
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV1024TC
BS62LV1024STC
BS62LV1024TI
BS62LV1024STI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
8
数据
产量
卜FF器
8
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1024
•
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版2.2
2001年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
