超低功耗CMOS SRAM
128K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV1027
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 18毫安（最大）在55ns
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.02uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V工作电流： 47毫安（最大）在55ns
10mA（最）在1MHz
待机电流： 0.4uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV1027是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.02uA电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1027具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1027可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， 8mmx13.4mm STSOP ，
8mmx20mm TSOP和36焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV1027DC
BS62LV1027HC
BS62LV1027PC
BS62LV1027SC
BS62LV1027STC
BS62LV1027TC
BS62LV1027HI
BS62LV1027PI
BS62LV1027SI
BS62LV1027STI
BS62LV1027TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
马克斯。 ）
操作
(I
CC
马克斯。 ）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
3.0uA
1.0uA
9mA
29mA
46mA
1.5mA
9mA
17mA
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
5.0uA
1.5uA
10mA
30mA
47mA
2mA
10mA
18mA
骰子
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
•
BS62LV1027STC
BS62LV1027STI
BS62LV1027TC
BS62LV1027TI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
3
CE2
4
A3
5
A6
6
A8
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
•
BS62LV1027PC
BS62LV1027PI
BS62LV1027SC
BS62LV1027SI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
8
A
A0
数据
产量
卜FF器
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
C
DQ5
NC
A5
DQ1
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
F
DQ6
NC
NC
DQ2
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
G
DQ7
OE
CE1
A16
A15
DQ3
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1027
1
修订版2.3
五月。
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
