超低功耗CMOS SRAM
2M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV1600
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 46毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流：
1.5uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流（最大） 115毫安在55ns
10mA（最）在1MHz
待机电流：
6.0uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
: 3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
: 2.7~5.5V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV1600是一款高性能，低功耗CMOS
组织为2048K由8位和静态随机存取存储器
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
1.5uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1600具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1600可在JEDEC标准的44引脚TSOP II
和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV1600EC
BS62LV1600FC
BS62LV1600EI
BS62LV1600FI
操作
温度
广告
+0
O
C至+70
O
C
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
50uA
8.0uA
9mA
48mA
113mA
1.5mA
19mA
45mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
100uA
16uA
10mA
50mA
115mA
2mA
20mA
46mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
NC
A20
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
n
框图
A20
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
12
ROW
解码器
4096
存储阵列
BS62LV1600EC
BS62LV1600EI
4096 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
512
列解码器
9
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
1
A
NC
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
数据
产量
卜FF器
B
NC
NC
A3
A4
CE1
NC
C
DQ0
NC
A5
A6
NC
DQ4
D
VSS
DQ1
A17
A7
DQ5
VCC
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10 A19
E
VCC
DQ2
NC
A16
DQ6
VSS
F
DQ3
NC
A14
A15
NC
DQ7
G
NC
A20
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1600
1
修订版2.2
一月
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
