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BS62LV2006STI-55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV2006STI-55图片预览
型号: BS62LV2006STI-55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 322 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×8位
BS62LV2006
•宽的Vcc工作电压: 2.4V 〜 5.5V
•极低的功耗:
VCC = 3.0V C-等级: 22毫安( @ 55ns )工作电流
I-等级: 23毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 17毫安( @为70ns )工作电流
I-等级: 18毫安( @为70ns )工作电流
0.3uA (典型值) CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级: 53毫安( @ 55ns )工作电流
I-等级: 55毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 43毫安( @为70ns )工作电流
I-等级: 45毫安( @为70ns )工作电流
1.0uA (典型值) CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展与CE2 , CE1和OE选项
描述
该BS62LV2006是一款高性能,低功耗CMOS
由8位, 262144字静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
0.3uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃,最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能( CE1 ) ,高电平有效芯片使能( CE2 )和低电平有效
输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS62LV2006具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV2006可在DICE的形式, JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP , 8mmx13.4mm STSOP和8mmx20mm TSOP 。
产品系列
产品
家庭
BS62LV2006DC
BS62LV2006TC
BS62LV2006STC
BS62LV2006SC
BS62LV2006DI
BS62LV2006TI
BS62LV2006STI
BS62LV2006SI
操作
温度
VCC
范围
速度
(纳秒)
55ns : 3.0 〜 5.5V
为70ns : 2.7 〜 5.5V
( I
CCSB1
马克斯)
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯)
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
70ns
Vcc=5.0V
70ns
PKG型
骰子
TSOP-32
STSOP-32
SOP-32
骰子
TSOP-32
STSOP-32
SOP-32
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V ~5.5V
55/70
3.0uA
10uA
17mA
43mA
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
55/70
5.0uA
30uA
18mA
45mA
销刀豆网络gurations
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A13
A17
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV2006TC
BS62LV2006STC
BS62LV2006TI
BS62LV2006STI
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
BS62LV2006SC
8
BS62LV2006SI
9
10
11
12
13
14
15
16
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
控制
地址输入缓冲器
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容,恕不另行通知。
R0201-BS62LV2006
8
数据
产量
卜FF器
8
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版1.1
一月
2004