超低功耗CMOS SRAM
256K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV2006
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 23毫安（最大）
2毫安（最大）
待机电流为0.1uA （典型值）。
V
CC
= 5.0V工作电流： 55毫安（最大）
10mA（最）
待机电流： 0.6uA （典型值）。
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
在55ns
在1MHz
在25
O
C
在55ns
在1MHz
在25
O
C
n
描述
该BS62LV2006是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 262,144和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为0.1uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV2006具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV2006可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 8mmx13.4mm STSOP ， 8mmx20mm TSOP和
36焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV2006DC
BS62LV2006HC
BS62LV2006SC
BS62LV2006STC
BS62LV2006TC
BS62LV2006HI
BS62LV2006SI
BS62LV2006STI
BS62LV2006TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
20uA
2.0uA
10mA
30mA
55mA
2mA
10mA
23mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
6.0uA
0.7uA
9mA
29mA
53mA
1.5mA
9mA
22mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-36-0608
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
BGA-36-0608
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A7
A12
A14
A16
A17
A15
A11
A8
A9
A13
•
BS62LV2006TC
BS62LV2006TI
BS62LV2006STC
BS62LV2006STI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
5
A6
6
A8
8
数据
输入
卜FF器
8
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
8
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
•
3
CE2
4
A3
BS62LV2006SC
BS62LV2006SI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
产量
卜FF器
C
DQ5
NC
A5
DQ1
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
控制
地址输入缓冲器
F
DQ6
NC
A17
DQ2
A6 A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
G
DQ7
OE
CE1
A16
A15
DQ3
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV2006
1
修订版1.3
五月。
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
