BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV2008
测试条件
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
参数
保证输入低
(3)
电压
保证输入高
(3)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
分钟。
-0.5
2.2
--
--
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
典型值。
(1)
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
--
0.8
V
cc
+0.3
1
1
0.4
--
45
55
1.0
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
(2)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安，
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V ，
V
IN
≧Vcc-0.2V
或V
IN
≦0.2V
--
2.4
--
--
5.0 V
70ns
55ns
I
CCSB
(4)
Vcc=5.0V
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=5.0V
--
1.0
30
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4. I
cc
s
B1
=最大。
是为10uA在Vcc = 5.0V和T
A
=70
o
C.
5.电流Icc
=最大。
是53毫安（ @ 55ns ） / 43毫安（ @为70ns ）在Vcc = 5.0V和T
A
=0~70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3.电流Icc
DR_MAX 。
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
R0201-BS62LV2008
V
IL
V
IL
3
修订版1.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
