BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
32K ×8位
描述
BS62LV256
•宽的Vcc工作电压： 2.4V 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I-等级： 25毫安（最大）工作电流
0.01uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 35毫安（最大）工作电流
I-等级： 40毫安（最大）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
该BS62LV256是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 32768个词语的静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3V工作电压为70ns的0.01uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态
输出驱动器。
该BS62LV256具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV256可在DICE的形式， JEDEC标准
28PIN 330mil塑料SOP ， 300MIL塑料SOJ ， 600mil塑料DIP和
8mmx13.4mm TSOP （普通型） 。
产品系列
产品
家庭
BS62LV256SC
BS62LV256TC
BS62LV256PC
BS62LV256JC
BS62LV256DC
BS62LV256SI
BS62LV256TI
BS62LV256PI
BS62LV256JI
BS62LV256DI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
VCC-
3.0V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
VCC-
VCC-
5.0V
3.0V
(I
CC
，最大值）
VCC-
VCC-
5.0V
3.0V
PKG
TYPE
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOJ-28
骰子
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOJ-28
骰子
0
O
C至+70
O
C
2.4V ~ 5.5V
70
1uA
0.2uA
35mA
20mA
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V ~ 5.5V
70
2uA
0.4uA
40mA
25mA
销刀豆网络gurations
框图
28
27
26
25
24
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
512
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
64
列解码器
12
CE
WE
OE
VDD
GND
A4 A3 A2 A1 A0 A10
控制
地址输入缓冲器
卜FF器
地址
输入
•
1
2
3
4
5
11
12
13
14
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
BS62LV256SC
6
BS62LV256SI
23
7
BS62LV256PC
22
8
BS62LV256PI
21
BS62LV256JC
9
BS62LV256JI
20
10
19
18
17
16
15
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 512
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BS62LV256TC
BS62LV256TI
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
8
数据
产量
卜FF器
8
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV256
•
1
修订版2.2
2001年4月
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
