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BS62LV256TIP70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV256TIP70图片预览
型号: BS62LV256TIP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 242 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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超低功耗CMOS SRAM
32K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV256
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压: 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗:
V
CC
= 3.0V工作电流: 25毫安(最大) ,在为70ns
1毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 0.01uA (典型值),在25
O
C
V
CC
= 5.0V工作电流: 40毫安(最大)在55ns
2毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 0.4uA (典型值),在25
O
C
Ÿ
高速存取时间:
-55
55ns (最大)在V
CC
:
4.5~5.5V
-70
70ns的(最大)在V
CC
:
3.0~5.5V
Ÿ
自动断电,当芯片被取消
Ÿ
易于扩展CE和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV256是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器由8位, 32768和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点,
在3.0V为70ns的0.01uA的电流和最大访问时间
操作。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE)和低电平有效输出使能( OE )和三态输出
驱动程序。
该BS62LV256具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV256可在DICE的形式, JEDEC标准的28引脚
330mil塑料SOP , 600mil塑料DIP , TSOP 8mmx13.4mm
(正常型) 。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV256DC
BS62LV256PC
BS62LV256SC
BS62LV256TC
BS62LV256PI
BS62LV256SI
BS62LV256TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
5.0uA
0.7uA
2mA
20mA
40mA
1mA
15mA
25mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
4.0uA
0.4uA
1.5mA
18mA
35mA
0.8mA
12mA
20mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
,最大值)
操作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
PDIP-28
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOP-28
TSOP-28
n
销刀豆网络gurations
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
n
框图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
BS62LV256PC
BS62LV256PI
BS62LV256SC
BS62LV256SI
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512
存储阵列
512X512
512
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
64
列解码器
6
CE
WE
OE
V
CC
GND
A4 A3 A2 A1 A0 A10
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
数据
产量
卜FF器
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BS62LV256TC
BS62LV256TI
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
华晨半导体公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
R0201-BS62LV256
1
修订版2.6
九月
2006