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BS62LV4006TIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4006TIG55图片预览
型号: BS62LV4006TIG55
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 400 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV4006
n
AC电气特性(T
A
= -40°C至+ 85°C )
写周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
周期时间: 55ns
(V
CC
= 3.0~5.5V)
分钟。
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高Z
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
( CE , WE)
55
55
0
55
30
0
--
25
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
周期:为70ns
(V
CC
= 2.7~5.5V)
分钟。
70
70
0
70
35
0
--
30
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
O
O
描述
单位
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
n
开关波形(写周期)
写周期1
(1)
t
WC
地址
t
WR
OE
t
CW
CE
(5)
(11)
(3)
t
AW
WE
t
AS
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
(4,10)
t
WP
(2)
R0201-BS62LV4006
6
修订版1.4
五月。
2006