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BS62LV4007SCP55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4007SCP55图片预览
型号: BS62LV4007SCP55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 374 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
BS62LV4007
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
,
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间: 55ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。
典型值。
马克斯。
周期:为70ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。
典型值。马克斯。
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
55
--
--
--
10
10
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
--
--
30
25
--
70
--
--
--
10
10
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
--
--
35
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形(读周期)
读CYCLE1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
R0201-BS62LV4007
4
修订版1.1
一月
2004