BSI
DC电气特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV4008
测试条件
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
--
--
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
55ns
70ns
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
30
25
0.5
单位
--
--
--
--
--
--
--
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(2)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
VCC = 3.0 V
--
2.4
--
I
CCSB
(4)
VCC = 3.0 V
--
--
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
VCC = 3.0 V
--
0.45
10
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4. I
cc
SB1_MAX.
是5UA在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
5. Icc_
马克斯。
是29毫安（ @ 55ns ） / 24毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V和T
A
=0~70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.3
--
--
1.3
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
_
马克斯。
为0.8uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
VCC
V
IH
VCC
（ CE控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4008
3
修订版1.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
