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BS62LV4008SIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4008SIG55图片预览
型号: BS62LV4008SIG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 374 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
写周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
加时赛结束写入到输出有效
( CE , WE)
周期时间: 55ns
( VCC = 3.0 〜 3.6V )
分钟。典型值。马克斯。
BS62LV4008
周期:为70ns
( VCC = 2.7 〜 3.6V )
分钟。典型值。马克斯。
单位
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
WLOZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHOZ
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
55
55
0
55
30
0
--
25
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
70
70
0
70
35
0
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形(写周期)
写CYCLE1
(1)
t
WC
地址
t
WR
OE
(3)
t
CW
CE
(5)
(11)
t
AW
WE
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS62LV4008
6
修订版1.1
一月
2004