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    BS62LV8001EI70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV8001EI70图片预览
    型号： BS62LV8001EI70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 1M ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 204 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV8001EI70的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV8001
    n
    修订历史
    版本号
    2.2
    历史
    添加ICC1特性参数
    提高Iccsb1规范。
    I级，从110uA至50uA的5.0V处
    为10uA至8.0uA在3.0V
    C-等级从55uA至25uA的5.0V
    5.0uA到4.0uA在3.0V
    更改I级工作温度范围
    - 从
    –25
    O
    C到
    –40
    O
    C
    改变Iccdr规范。
    I级，从2.5uA至4.0uA
    C-等级从1.3uA至2.0uA
    典型的为0.8〜 0.4uA
    草案日期
    2006年1月13日
    备注
    2.3
    五月。 25 ， 2006年
    R0201-BS62LV8001
    10
    调整
    2.3
    五月。
    2006

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