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BS62LV8001EIP70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV8001EIP70图片预览
型号: BS62LV8001EIP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 1M ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 204 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV8001
n
DC电气特性(T
A
=-40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
TTL
待机电流
CMOS
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.8
3.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
1
1
0.4
--
31
76
2
10
1.0
2.0
8.0
50
(3)
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
2.2
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大,我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小,我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安, F =
(4)
F
最大
--
--
--
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
--
--
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安, F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ,而不是100 %测试。
2.冲: -1.0V的情况下,脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲: V
CC
+ 1.0V的情况下,脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC ( MAX 。 )
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
n
数据保持特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.4
--
马克斯。
--
4.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1. V
CC
= 1.5V ,T
A
= 25℃ ,而不是100 %测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD (最大)
为2.0uA在T
A
=70 C.
n
低V
CC
数据保存波形图( 1 ) ( CE1控制)
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV8001
3
调整
2.3
五月。
2006