欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS62LV256TIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV256TIP55图片预览
型号: BS62LV256TIP55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 308 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV256TIP55的Datasheet PDF文件第10页  
BS62LV256
AC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
写周期
JEDEC
参数
名字
PARANETER
名字
描述
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高Z
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
( CE , WE)
周期时间: 55ns
(V
CC
= 4.5~5.5V)
分钟。
55
55
55
35
0
0
--
35
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
周期:为70ns
(V
CC
= 3.0~5.5V)
分钟。
70
70
70
40
0
0
--
40
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
AVAX
t
AVWH
t
E1LWH
t
WLWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHQX
t
WC
t
AW
t
CW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
开关波形(写周期)
写周期1
(1)
t
WC
地址
t
WR
(3)
OE
t
CW
(11)
(5)
CE
t
AW
WE
t
AS
t
OHZ
(4,10)
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
t
WP
(2)
R0201-BS62LV256
6
调整
2.7
十月
2008