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BS62LV256PCP70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS62LV256PCP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 308 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV256
引脚说明
名字
A0 - A14地址输入
CE芯片使能输入
功能
这15个地址输入选择32768中的x在RAM 8位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时,数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活,该装置的选择取消,并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当OE是无效的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
真值表
模式
未选择
(断电)
输出禁用
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
注: H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心(必须是V
IH
或V
IL
状态)
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C,F = 1.0MHz的)
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下, AC脉冲宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV256
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
2
调整
2.7
十月
2008