超低功耗CMOS SRAM
256K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV2006
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 23毫安（最大）在55ns
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.7 /为2uA （最大值）的八十五分之七十ç
V
CC
= 5.0V工作电流： 55毫安（最大）在55ns
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 6 /的20uA （最大）在八十五分之七十零ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS62LV2006是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 262,144和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
O
2 /的20uA在Vcc = 3V / 5V电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV2006具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV2006可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 8mmx13.4mm STSOP和8mmx20mm TSOP
封装。
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV2006DC
BS62LV2006SC
BS62LV2006STC
BS62LV2006TC
BS62LV2006SI
BS62LV2006STI
BS62LV2006TI
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
20uA
2.0uA
10mA
30mA
55mA
2mA
10mA
23mA
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
6.0uA
0.7uA
9mA
29mA
53mA
1.5mA
9mA
22mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
销刀豆网络gurations
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
框图
A7
A12
A14
A16
A17
A15
A11
A8
A9
A13
•
BS62LV2006TC
BS62LV2006TI
BS62LV2006STC
BS62LV2006STI
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
8
数据
输入
卜FF器
8
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
•
DQ4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ5
DQ6
DQ7
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
8
数据
产量
卜FF器
BS62LV2006SC
BS62LV2006SI
A6 A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV2006
1
调整
1.4
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
