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    BS62LV1027SIP70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV1027SIP70图片预览
    型号： BS62LV1027SIP70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 128K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 372 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1027SIP70的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV1027
    开关波形（读周期）
    读周期1
    (1,2,4)
    t
    RC
    地址
    t
    OH
    D
    OUT
    读周期2
    (1,3,4)
    CE1
    t
    ACS1
    CE2
    t
    CLZ
    (5)
    t
    ACS2
    t
    CHZ1
    , t
    CHZ2
    (5)
    t
    AA
    t
    OH
    D
    OUT
    读周期3
    (1, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CE1
    t
    CLZ1
    (5)
    CE2
    t
    OLZ
    t
    ACS1
    t
    CHZ1
    (1,5)
    t
    OHZ
    (5)
    t
    OH
    t
    ACS2
    t
    CLZ2
    (5)
    t
    CHZ2
    (2,5)
    D
    OUT
    注意事项：
    1.我们是高读周期。
    2.设备不断选择当CE1 = V
    IL
    和CE2 = V
    IH
    .
    3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
    4. OE = V
    IL
    .
    5.转换测量
    ±
    为500mV从稳定状态用C
    L
    = 5pF的。
    该参数是保证，但不是100 ％测试。
    R0201-BS62LV1027
    5
    调整
    2.4
    十月
    2008

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