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    BS62LV1027PIP55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV1027PIP55图片预览
    型号： BS62LV1027PIP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 128K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 372 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV1027PIP55的Datasheet PDF文件第10页  
    BS62LV1027
    修订历史
    版本号
    2.2
    历史
    添加ICC1特性参数
    提高Iccsb1规范。
    I级从的20uA至5.0uA在5.0V
    2.5uA到1.5uA在3.0V
    C-等级从8.0uA到3.0uA在5.0V
    1.3uA到1.0uA在3.0V
    更改I级工作温度范围
    - -25
    O
    C至-40
    O
    C
    待机电流的典型值被替换为
    在Featues和说明最大值
    部分
    在（引线）封装材料： - 删除“正常”
    订购信息
    删除BGA封装
    草案日期
    2006年1月13日
    备注
    2.3
    2.4
    五月。 25 ， 2006年
    2008年10月31日
    R0201-BS62LV1027
    11
    调整
    2.4
    十月
    2008

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