BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
128K ×8位
BS62UV1027
•数据保持电源电压低至1.2V
•易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
•宽的Vcc工作电压：
C-等级： 1.8V 〜 3.6V
I级： 1.9V 〜 3.6V
（ Vcc_min 。 = 1.65V 25
o
C)
•超低功耗：
VCC = 2.0V C-等级： 7毫安（最大）工作电流
我优级： 8毫安（最大）工作电流
0.05uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V C-等级： 13毫安（最大）工作电流
I-等级： 15毫安（最大）工作电流
0.10uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-85
85ns （最大）
-10
为100ns （最大值）。
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
描述
该BS62UV1027是一款高性能，超低功耗CMOS
由8位， 131072字静态随机存取存储器
而工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.05uA在2.0V / 25
o
85ns的在85℃和最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62UV1027具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62UV1027可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 300MIL塑料SOJ ， 600mil塑料DIP ， 8mmx13.4
毫米STSOP和8mmx20mm TSOP 。
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
VCC-
VCC-
3.0V
2.0V
(I
CC
，最大值）
VCC-
VCC-
3.0V
2.0V
产品系列
产品
家庭
BS62UV1027SC
BS62UV1027TC
BS62UV1027JC
BS62UV1027STC
BS62UV1027PC
BS62UV1027DC
BS62UV1027SI
BS62UV1027TI
BS62UV1027JI
BS62UV1027STI
BS62UV1027PI
BS62UV1027DI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
C-级： 1.8 〜 3.6V
I级： 1.9 〜 3.6V
PKG型
SOP-32
TSOP-32
SOJ-32
STSOP -32
PDIP-32
骰子
SOP-32
TSOP-32
SOJ-32
STSOP -32
PDIP- 32
骰子
0 ℃〜 + 70℃
O
O
1.8V ~ 3.6V
85/100
1.3uA
0.5uA
13mA
7mA
-40°C至+ 85°C
O
O
1.9V ~ 3.6V
85/100
2.5uA
1.0uA
15mA
8mA
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
BS62UV1027SC
27
BS62UV1027SI
26
BS62UV1027PC
25
BS62UV1027PI
BS62UV1027JC
24
BS62UV1027JI
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
•
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1027
存储阵列
1027 x 1027
1027
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
8
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62UV1027TC
BS62UV1027STC
BS62UV1027TI
BS62UV1027STI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
数据
产量
卜FF器
8
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62UV1027
•
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版2.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
