CM1213A
应用信息
设计注意事项
为了实现对最大程度的保护
ESD脉冲，必须注意在PCB布局
尽量减少对供应的寄生串联电感/
接地轨以及信号路径片段
信号输入（通常是连接器）和间
ESD保护器件。请参阅
图3中，
哪
示出了正ESD脉冲引人注目的一个例子
输入通道。的寄生串联电感背面
电源用L表示
1
和L
2
。该
电压V
CL
在被保护线路：
V
CL
=正向电压的D降
1
+ V
供应
+ L
1
x厚（I
ESD
)
/
dt
+ L
2
x厚（I
ESD
)
/
dt
电感L
2
在V
CL
通过钳位V
P
在击穿
电压的齐纳二极管。然而，对于最低
可能的V
CL
特别是当V
P
的偏置电压
显著低于齐纳击穿电压，这是
推荐一个0.22μF的陶瓷芯片电容器
连接V之间
P
和接地平面。
作为一般规则，在ESD保护阵列应该是
位于尽可能接近到的入口点
预计静电放电。电源
上述旁路电容应尽量靠近
于V
P
销的保护阵列成为可能，以
最小的PCB走线长度的电源，
接地层和所述信号输入端和所述间
ESD器件，以减少寄生串联电感。
在那里我
ESD
是ESD电流脉冲，和V
供应
is
正电源电压。
静电放电电流脉冲可以从零上升到峰值
在很短的时间值。作为一个例子，一个4级
按照IEC61000-4-2标准的接触放电
结果在该上升从零到30的电流脉冲
安培在1ns的。在这里， D（我
ESD
） / dt的可以近似
ΔI
ESD
/ΔT ，或30 / （ 1×10
-9
） 。一系列所以才10nH到
电感（L
1
和L
2
合并）会导致300V
增量V
CL
!
同样，对于负ESD脉冲，寄生串联
从V电感
N
脚在地上轨道会导致
大幅增加的负电压就行了
被保护。
该CM1213A之间具有一个集成的稳压二极管
V
P
和V
N
。这大大降低了电源轨的效果
附加信息
另请参阅加利福尼亚微设备公司应用笔记
AP209 ，在“设计考虑ESD保护。”
在www.calmicro.com的应用程序部分。
L
2
V
P
正电源轨
V
CC
PATH的ESD电流脉冲I
ESD
0.22μF
D
1
一
通道
D
2
OF
CM1213
L
1
通道
输入
25A
线是
保护
系统或
电路
存在
保护
V
CL
地轨
0A
V
N
机箱接地
正ESD脉冲输入通道和地面之间的图3.应用程序
© 2007加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
6
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
l
联系电话： 408.263.3214
l
传真： 408.263.7846
l
www.cmd.com
04/03/07
CALMIRCO [ CALIFORNIA MICRO DEVICES CORP ]
