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型号: CM3107
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内容描述: 2安培源出/吸入总线终端稳压器,用于DDR内存和前端总线的应用 [2 Amp Source/ Sink Bus Termination Regulator for DDR Memory and Front Side Bus Applications]
分类和应用: 稳压器双倍数据速率
文件页数/大小: 13 页 / 1214 K
品牌: CALMIRCO [ CALIFORNIA MICRO DEVICES CORP ]
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CM3107
2安培源出/吸入总线终端稳压器
对于DDR内存和前端总线的应用
特点
理想的英特尔865前端总线V
TT
和DDR
V
TT
应用
汇和源2安培
过电流保护
过温保护
集成的功率MOSFET
出色的精度( 0.5 %负载调整率)
可选输出( 1.225V / 1.45V或V
DDQ
/2)
8引脚SOIC和PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3107是一个下沉和采购监管specif-
ically专为串并联总线端接
高速芯片组总线和DDR内存
系统。它可以提供和吸收电流高达2.0A与
0.5%的负载调节。在V
TT
输出电压是
用V可选
DDQ
SEL和FSBSEL引脚。该
V
DDQ
SEL引脚控制CM3107无论是在DDR
与V内存模式
TT
=V
DDQ
/ 2,或者在前端总线模式。在
FSB模式, FSBSEL控制是否V
TT
为1.225V或
1.45V 。这允许在两个不同所使用的相同的芯片
英特尔865的主板上同的电路。
该CM3107提供过流和过温
温保护,可保护芯片免受过大
加热,由于高电流和高的温度下进行。一
使用外部晶体管关断能力
降低功耗,提供了一种高
阻抗输出。
该CM3107封装在8引脚SOIC和PSOP
包,并提供可选无铅整饰
ING 。
应用
英特尔845分之865前端总线端接
单,双DDR存储器终端
主动终止巴士
显卡DDR存储器终端
简化的电气原理图
V
CC
V
DDQ
SEL FSBSEL
V
DDQ
50K
温度过高
过电流
参考
产量
SELECT
司机
V
REF
OUT
IN
V
TT
50K
卜FF器
V
SENSE
GND
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02/02/04
430 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话: 408.263.3214
L
传真: 408.263.7846
L
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