CM3109
2A吸入/源稳压前端总线
DDR内存总线终端
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
理想的适用于PC的前端总线和DDR内存
V
TT
应用
汇和源2A
过电流保护
过温保护
关机功能
集成的功率MOSFET
出色的精度（负载调整率0.5 ％ ）
最少的外部元件
8引脚PSOP封装
无铅版本
产品说明
该CM3109是一个下沉和采购监管specif-
ically专为串并联总线端接
高速芯片组总线和DDR内存
系统。它可以提供和吸收电流高达2A与
高精确度的0.5％。在V
TT
输出电压是
用V可选
DDQ
SEL和FSBSEL引脚。该
V
DDQ
SEL引脚控制CM3109无论是在DDR
与V内存模式
TT
= V
DDQ
/ 2，或者在前端总线模式。在
FSB模式， FSBSEL控制是否V
TT
为1.225V或
1.45V 。这允许在两个不同所使用的相同的芯片
在PC主板同时支持同的电路
的Northwood和Prescott的处理器。
该CM3109无需外部元件使用
在Intel芯片组或相应的GMCH使能信号
当通电的其它芯片组的荷兰国际集团的信号
PC 。对于支持挂起到RAM板
（ STR ）的功能， CM3109提供了关断（ SD ）
引脚。当SD置为低电平，V
TT
将在三态模式，
使输出变为高阻抗。在这种模式下，
CM3109功率节省显著降低
静态电流。
该CM3109提供过流和过温
温保护。这些功能保护芯片
过度的加热，由于高电流和高temper-
ATURE 。该CM3109是采用8引脚PSOP封装
年龄和是提供可选的无铅精加工。
应用
•
•
•
•
PC前端总线终端稳压器
DDR存储器终端稳压器
主动终止巴士
显卡DDR存储器终端
简化电气
概要
V
CC
V
DDQ
SEL FSBSEL
V
DDQ
50K
产量
SELECT
SD
温度过高
过电流
参考
司机
V
TT
50K
V
SENSE
GND
©
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
01/15/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
▲
联系电话： 408.263.3214
▲
传真： 408.263.7846
▲
www.calmicro.com
1
CALMIRCO [ CALIFORNIA MICRO DEVICES CORP ]
