CM3196
性能信息（续）
典型的热特性
总的结点至环境的热阻
(
θ
JA
）的器件功耗（P
D
）由prima-
rily的串联的两个路径。第一条路径是路口
案例（
θ
JC
），它是由包装样式定义，并且
2A的瞬时电流不应超过
29 ％的时间。对于CM3196-12SB ，最大
RMS电流增大，从1.3A到2.2A 。因此，该
最大连续电流可以是2A的所有时间。
第二条路径是区分于环境（
θ
CA
）热
电阻，这是依赖于电路板布局。该
最后的工作结温为任何一组CON组
ditions可以由以下的热方程来估计
化：
T
JUNC
= T
A
+ P
D
(
θ
JC
) + P
D
(
θ
CA
)
= T
A
+ P
D
(
θ
JA
)
当一个CM3196-12SN （SOIC）被安装在为DOUBLE
与2平方英寸竹叶提取双面印刷电路板
铜分配"heat蔓延， "由此产生的
θ
JA
是151 ° C / W 。基于所述过温度限制
150 ℃下用85 ℃的环境中，可用功率
这个包将是：
P
D
= （ 150℃ -85 ℃） / 151 ℃/ W = 0.43W
对于CM3196-12SB （ PSOP ）
θ
JA
为40℃ / W与
可用功率的这个包是：
P
D
= （ 150℃ -85 ℃） / 40 ° C / W = 1.625W
DDR内存的应用
由于输出电压是1.25V ，并且该器件可以
从V无论是源电流
DD
或沉到目前
地面上，电力消耗在设备在任何时间
是1.25V倍的电流负载。这意味着马克西
妈妈平均RMS电流（在任一方向）是
0.344A的CM3196-12SN和1.3A的CM3196-12SB 。
最大瞬时电流为2A指定
所以这种条件是不超过17％，而
65 ％的时间为CM3196-12SN和CM3196-12SB ，
分别。它是在使用的DDR不大可能
存储器，这将发生，因为这意味着在
DDR内存输出或者是所有的高或低都为
17 ％ （ SOIC ）和当时65 ％ （ PSOP ） 。
如果环境温度为40℃而不是85 ℃，
它通常是最大的，在大多数的DDR存储器
应用中，功率耗散（P
D
）可0.73W
对于CM3196-12SN和2.75W的CM3196-12SB 。所以
最大平均RMS从电流增大
0.42A到0.58A的CM3196-12SN和最大
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04/22/04
图10.占空比与环境
温度（I
负载
= 2A)
图11.占空比与输出
电流（温度= 70 ° C）
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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