加利福尼亚微设备公司
绝对最大额定值
参数ê德ř
ESD保护（ HBM ）
V
C C
输入电压
驱动逻辑电压
存储温度范围
工作环境
工作结
功耗： TO- 263
SOIC
N}÷ TE 1
ř阿婷
2000
6.0 ， -0.5 GND
V
C C
0.5 ， -0.5 GND
-40到+150
0至+70
0到+125
1.0
W
单位
V
V
V
o
C
CMPWR150
工作条件
参数ê德ř
V
CC
温度（环境）
负载电流
C
EXT
ř法兰
5.0 ± 0.5
0至+70
0到500
10 ± 10%
单位
V
o
C
mA
mF
SYM BOL
V
O u那样牛逼
I
O u那样牛逼
V
Ç （C S） É左
V
Ç C D （E S）
V
C C ^ h ÿ S T
I
S / C
I
R C Ç
V
ř LO A D
V
R L I N ê
I
C C
电气运行特性
（在工作条件，除非规定的其他方式）
参数ê德ř
条件
民
TY P
ř例如ü升A至R区TP ü吨武升TA克é
500mA>I
LO A D
>0mA
3.135
3.30
ř例如ü升吨Ø ř鸥吨P ü吨碳ü R R简吨
500
800
发E L E （C T）武升TA克é
使能稳压器
4.35
D E SE L E （C T）武升TA克é
禁止稳压器
3.90
4.10
滞后电压
迟滞
注2
0.25
秒H Ø RT次RC ü I T区TP ü吨铜RRE N t个V
C C
= 5V, V
O u那样牛逼
= 0V
1200
V
C C
脚反向漏
负载调整率
线路调整
静态电源电流
V
O u那样牛逼
= 3.3V, V
C C
= 0V
V
C C
= 5V ，我
LO A D
= 50mA至500毫安
V
C C
= 4.5V至5.5V ，我
LO A D
= 5毫安
V
C C
＆ GT ; V
C C性S E L，
I
负载
= 0毫安
V
Ç C D （E S）
＆ GT ; V
C C
＆ GT ; V
O u那样牛逼
V
O u那样牛逼
＆ GT ; V
C C
禁止稳压器
V
C C
= 5V ，我
负载
= 5毫安
V
C C
= 5V ，我
LO A D
= 500毫安
R
P ü L L ü P
到V
C C
, V
C C
＆ GT ; V
Ç （C S） É左
R
P ü L L D 2 O W N
到GND ，V
Ç C D （E S）
＆ GT ; V
C C
C
，D R IV E
= 1nF的，V
C C
t
R是ê
＆ LT ;为100ns
C
，D R IV E
= 1nF的，V
C C
t
FA L L
＆ LT ;为100ns
5
75
2
1.0
0.15
0.01
0.15
1.0
1.2
100
200
1.0
0.2
最大
UN I T
3.465
4.45
V
mA
V
mA
50
mA
mV
mV
I
G N ð
接地引脚电流
注3
3.0
0.25
0.02
0.30
2.5
3.0
400
400
mA
mA
W
ms
R
Ø ħ
R
0 1
t
深高
t
平负
注1 ：
开车拉电阻
驱动器下拉电阻
驱动高延迟
驱动低延时
注2 ：
注3 ：
所使用的SOIC封装中，通过使用一个稠合组成的引线框热增强。额定功率是基于在一印刷
电路基板的热扩散能力相当于2平方英寸铜连接到GND管脚。典型的多层电路板
使用电源平面的建设将提供无需额外的专用铜区这种热扩散能力。 （请
与厂家热评定援助咨询。 ）
滞后定义了V可接受干扰的最高水平
CC
期间切换。因此建议在V
CC
来源
阻抗保持在低于0.25
Ω
确保开关干扰仍低于迟滞期间选择/取消选择转换。
输入电容器可能被要求，以帮助最小化在开关瞬态。
接地引脚电流由控制器电流（ 0.15毫安）和电流调节器，如果启用。控制器总是吸引0.15毫安从
无论是V
CC
或V
OUT
，以较高者为准。所有的稳压器电流从V独家提供
CC
。在高负载电流小幅增加
的发生是由于限流保护电路。
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2
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