加利福尼亚微设备公司
PAC DN017
同样，对于负ESD脉冲，寄生串联电感从V
N
脚在地上轨道会导致显着
上线增加负电压的保护。
另一个要考虑的是用于快速瞬态电流的电源的输出阻抗。大多数电源
表现出相当高的输出阻抗，以快速瞬态电流尖峰。在V
Z
上述等式中，V
供应
来看，在
现实中，是通过（Ⅴ给出
DC
+ I
ESD
个R
OUT
） ，其中V
DC
和R
OUT
是标称电源的DC输出电压和有效输出
电源分别阻抗。作为一个例子，其特征
OUT
1欧姆将导致一个10V增量V中
Z
一
峰值I
ESD
的10A 。
为了减轻这些影响，齐纳二极管已经被集成到V之间的这种保护阵列
P
和V
N
。该齐纳
二极管钳位Ⅴ的最大电压
P
相对于V
N
在齐纳二极管的击穿电压。虽然不是严格
必要时，建议使V
P
被旁路到地平面以高频旁路电容器。这将
降低通道的钳位电压，并且是特别有效的当V
P
比齐纳二极管的击穿电压低得多。
这个旁路电容的值的选择应使得其会吸收由EDS脉冲与所传送的电荷
在V最小变动
P
。通常为IEC- 61000-4-2第4级接触在0.1 μF至0.2 μF范围内的值已经足够
放电保护（ 8KV ） 。对于更高的ESD电压，旁路电容应相应增加。陶瓷片
电容装短印制电路板走线是该应用程序很好的选择。电解电容
应避免使用，因为它们具有差的高频特性。
作为一般规则，预计将ESD保护阵列应尽可能靠近尽可能入口点
静电放电。上面提到的电源旁路电容应尽量靠近V
P
的销
保护阵列成为可能，以最小的PCB走线长度的电源层和接地层，以减少杂散
串联电感。
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