双N沟道JFET
高频放大器
公司
2N5911 / 2N5912
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗
减免上述25
o
C
TO-99
•
严密跟踪
•
低插入损耗
•
良好的匹配
引脚配置
一面
367mW
3.0mW/
o
C
两旁
500mW
4.0mW/
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
订购信息
部分
CJ1
C
S2
G1
D2
D1
G2
S1
包
密封TO- 99
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
2N5911-12
X2N5912
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
GSS
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
G
I
DSS
g
fs
g
fs
g
os
g
OSS
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
门反向电流
门反向击穿电压
栅源截止电压
栅源电压
门工作电流
饱和漏极电流（脉冲宽度300μS ，占空比
≤3%)
共源正向跨导
共源正向跨导（注1 ）
共源输出电导
共源输出电导（注1 ）
共源输入电容（注1 ）
共源反向传输电容（注1 ）
等效短路输入噪声电压（注1 ）
现货噪声系数（注1 ）
7
5000
5000
-25
-1
-0.3
-5
-4
-100
-100
40
10,000
10,000
100
150
5
1.2
20
1
nV
Hz
√
dB
F = 10kHz的
F = 10kHz的
R
G
= 100kΩ
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
pF
F = 1MHz的
µS
pA
nA
mA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1kHz时
F = 100MHz的
F = 1kHz时
F = 100MHz的
T
A
= 150
o
C
V
参数
民
最大
-100
-250
单位
pA
nA
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
测试条件
V
GS
= -15V, V
DS
= 0
T
A
= 150
o
C
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
