P沟道增强模式
MOSFET通用
功放开关
3N163 / 3N164
特点
公司
•
非常高的输入阻抗
•
高栅极击穿
开关
•
快电容
低
•
引脚配置
绝对最大额定值（注1 ）
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源极或漏极，栅极电压
3N163 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
3N164 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30V
静态栅源电压
3N163. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±40V
3N164. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
短暂的栅源电压（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±125V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 375MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
D
TO-72
C
S
G
1503
订购信息
部分
3N163-64
X3N163-64
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
参数
3N163
3N164
单位
测试条件
V
GS
= -40V, V
DS
= 0 (3N163)
V
GS
= -30V, V
DS
= 0 (3N164)
T
A
= +125
o
C
I
D
= -10μA ，V
GS
= 0
I
S
= -10μA ，V
GD
= 0, V
BD
= 0
-5.0
-5.0
-6.5
400
800
300
欧
mA
pA
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -10µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -10µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.5mA
V
DS
= -15V, V
GS
= 0
V
SD
= 15V, V
GS
= V
DB
= 0
V
GS
= -20V ，我
D
= -100µA
V
DS
= +15V, V
GS
= -10V
最小值最大值最小值最大值
I
GSS
门体漏电流
-10
-25
BV
DSS
BV
SDS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
V
GS
I
DSS
I
SDS
r
DS （ ON）
I
D（上）
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
阈值电压
阈值电压
门源电压
零栅极电压漏极电流
源漏电流
漏源导通电阻
在漏极电流
-40
-40
-2.0
-2.0
-2.5
-5.0
-5.0
-6.5
200
400
250
-30
-30
-2.0
-2.0
-2.5
-10
-25
pA
-5.0 -30.0 -3.0 -30.0
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
