单片双P沟道
增强型MOSFET
通用扩增fi er
3N165 / 3N166
特点
公司
•
阻抗非常高
•
高栅极击穿
•
低电容
引脚配置
绝对最大额定值（注1 ）
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源极或漏极，栅极电压（注2 ）
3N165 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
3N166 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
短暂的栅源电压（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±125
栅栅电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±80V
漏电流（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗
一个侧面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
两侧。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 525mW
降额合计超过25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
底部视图
TO-99
D
2
G
2
S
D
1
G
1
C
0180
2506
C
G2
G1
D2
D1
S
订购信息
设备原理图
1
7
部分
3N165-66
X3N165-66
5
包
密封TO- 99
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
3
8
4
0190
电气特性
(T
A
= 25
o
C和V
BS
= 0，除非另有规定）
符号
I
GSSR
I
GSSF
I
DSS
I
SDS
I
D（上）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
参数
门反向漏电流
门正向漏电流
漏极至源极漏电流
源极到漏极的泄漏电流
在漏极电流
门源门限电压
门源门限电压
漏源导通电阻
-5
-2
-2
民
最大
10
-10
-25
-200
-400
-30
-5
-5
300
欧
mA
V
pA
V
DS
= -20V
V
SD
= -20V, V
DB
= 0
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ，我
D
= -10µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -10µA
V
GS
= -20V ，我
D
= -100µA
单位
V
GS
= 40V
V
GS
= -40V
T
A
= +125
o
C
测试条件
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
