保护二极管P沟道
增强型MOSFET
通用放大器/开关
3N172 / 3N173
特点
公司
•
高输入阻抗
•
二极管保护门
引脚配置
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源极或漏极，栅极电压
3N172 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
3N173 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
门正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10μA
门反向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 375MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
TO-72
C，B
S
G
D
1503Z
设备原理图
1
订购信息
部分
3N172-73
X3N172-73
2
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
3
4
0200
电气特性
(T
A
= 25
o
C和V
BS
= 0，除非另有规定）
符号
I
GSS
BV
GSS
BV
DSS
BV
SDS
V
GS （ TH）
V
GS
I
DSS
I
SDS
r
DS （ ON）
I
D（上）
参数
门反向电流
栅极击穿电压
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
阈值电压
门源电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压源电流
漏源导通电阻
在漏极电流
-5.0
-40
-40
-40
-2.0
-2.0
-3.0
-5.0
-5.0
-6.5
-0.4
-0.4
250
-30
-5.0
3N172
民
最大
-200
-0.5
-125
-30
-30
-30
-2.0
-2.0
-2.5
-5.0
-5.0
-6.5
-10
-10
350
-30
nA
欧
mA
V
3N173
民
最大
-500
-1.0
-125
单位
pA
µA
I
D
= -10µA
I
D
= -10µA
I
S
= -10μA ，V
DB
= 0
V
DS
= V
GS
, I
D
= -10µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -10µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
V
DS
= -15V, V
GS
= 0
V
SD
= -15V, V
DB
= 0, V
GD
= 0
V
GS
= -20V ，我
D
= -100µA
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
测试条件
V
GS
= -20V
T
A
= +125
o
C
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
