公司
二极管保护的N沟道
增强型MOSFET
通用扩增fi er
M116
特点
•
我低
GSS
•
集成的齐纳钳位的门保护
引脚配置
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
栅漏电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
门齐纳电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±0.1mA
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为225mW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.2mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
TO-72
C
S
G
D
1003Z
订购信息
部分
设备原理图
1
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
M116
XM116
2
3
4
0330
电气特性
(T
A
= 25
o
C和V
BS
= 0，除非另有规定）
符号
r
DS （ ON）
V
GS （ TH）
BV
DSS
BV
SDS
BV
GBS
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
I
GSS
C
gs
C
gd
C
db
C
国际空间站
参数
漏源导通电阻
栅极阈值电压
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
门体击穿电压
漏极电流Cuttoff
源截止电流
门体漏
门源（注1 ）
栅 - 漏电容（注1 ）
汲极体电容（注1 ）
输入电容（注1 ）
1
30
30
30
60
10
10
100
2.5
2.5
7
10
pF
nA
pA
民
最大
100
200
5
V
单位
Ω
测试条件
V
GS
= 20V ，我
D
= 100µA
V
GS
= 10V ，我
D
= 100µA
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10µA
I
D
= 1μA ，V
GS
= 0
I
S
= 1μA ，V
GD
= V
BD
= 0
I
G
= 10μA ，V
SB
= V
DB
= 0
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
SD
= 20V, V
GD
= V
BD
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
V
GB
= V
DB
= V
SB
= 0中，f = 1MHz的
机身设有保安
V
GB
= 0, V
DB
= 10V ， F = 1MHz的
V
GB
= 0, V
DB
= 10V, V
BS
= 0中，f = 1MHz的
注1 ：
仅供设计参考，未经100％测试。
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