公司
高速模拟
N沟道增强模式
DMOS场效应管
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
特点
•
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0分贝分@ 1 GHz的
•
低噪声。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大5.0分贝@ 1 GHz的
( SD202 , SD203 , SSTSD203 )
低间电容
描述
该SD200系列制造利用Calogic的
专有DMOS设计和加工技术。该
设备的设计以及经过1 GHz的工作时
保持良好的频率响应,功率增益和
低噪音。该DMOS结构是固有的低
电容,并产生一个设备非常高的速度设计
该桥梁的JFET和砷化镓产品性能
的特点。
订购信息
部分
SD200DC
SD201DC
SD202DC
SD203DC
SSTSD201
SSTSD203
XSD200
XSD201
XSD202
XSD203
包
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
表面贴装SOT- 143
表面贴装SOT- 143
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
原理图
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
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C至+ 125
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C
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C至+ 125
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C至+ 125
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C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
•
高增益VHF / UHF放大器
•
振荡器
•
调音台
引脚配置
(2)
漏
(4)
CASE , BODY
CD10-1
CD10-2
G
D
情况下,B
S
SD201 , SD203 ,齐纳保护
SD202 , SD204 ,非齐纳
(3)
门
(1)
来源
门(3)
漏(2)
部分标志( SOT -143 )
P / N
记号
201
203
车身内部连接到消协。
保护二极管ON SD201 / SD203而已。
体(4)
SOT-143
源(1)
SSTSD201
SSTSD203