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SD312 参数 Datasheet PDF下载

SD312图片预览
型号: SD312
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内容描述: 高速模拟N通道DMOS FET的好转-Resistance [High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs Improved On -Resistance]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
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SD310 / SD312 / SD314
公司
绝对最大额定值
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
在25器件总功耗
o
C的温度。 。 。 1.2W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
到200
o
C
焊接温度( 16"分之1案件从10秒)。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
参数
V
DS
V
SD
V
DB
V
SB
V
GS
V
GB
V
GD
漏 - 源
源 - 漏*
漏到身体
源到体
栅极 - 源
栅极到体
栅极 - 漏极
SD310 SD312 SD314
+30
+10
+30
+15
±40
±40
±40
+10
+10
+15
+15
±40
±40
±40
+20
+20
+25
+25
±40
±40
±40
单位
V
dc
V
dc
V
dc
V
dc
V
dc
V
dc
V
dc
DC电气特性
(T
A
= 25
o
C,除非另有说明。 )
符号
参数
SD310
SD312
SD314
单位
测试条件
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
击穿电压
BV
DS
BV
SD
BV
DB
BV
SB
漏 - 源
源到漏
漏到身体
源到体
30
10
10
15
15
35
25
10
10
15
15
25
20
20
25
25
25
V
V
GS
= V
BS
= 0V时,我
D
= 10µA
V
GS
= V
BS
= -5V ,我
S
= 10nA的
V
GD
= V
BD
= -5V ,我
D
= 10nA的
V
GB
= 0V ,源代码开放,我
D
= 10nA的
V
GB
= 0V ,漏开,我
S
= 10µA
漏电流
I
DS
(关闭)
漏 - 源
1
10
1
10
1
I
SD
(关闭)
I
GBS
V
T
源极到漏极
阈值电压
漏 - 源
阻力
0.5
1.0
30
r
DS
(上)
20
15
1
10
1
10
1
0.1
2.0
50
35
25
0.5
1.0
30
20
15
0.1
2.0
50
35
0.5
1.0
30
20
15
10
0.1
2.0
50
35
V
10
nA
V
GS
= V
BS
= -5V, V
DS
= +10V
V
GS
= V
BS
= -5V, V
DS
= +20V
V
GS
= V
BD
= -5V, V
SD
= +10V
V
GS
= V
BD
= -5V, V
SD
= +20V
V
DB
= V
SB
= 0V, V
GS
=
±40V
V
DS
= V
GS
= V
T
, I
S
= 1μA ,V
SB
= 0V
I
D
= 1.0毫安,V
SB
= 0, V
GS
= +5V
I
D
= 1.0毫安,V
SB
= 0, V
GS
= +10V
I
D
= 1.0毫安,V
SB
= 0, V
GS
= +15V
AC电气特性
符号
参数
前锋
SD310
SD312
SD314
单位
测试条件
V
DS
= 10V, V
SB
= 0V时,我
D
= 20mA时,
F = 1kHz时
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
政府飞行服务队
15
20
15
20
15
20
毫姆欧
小信号电容(见电容模型)
C
( GS + GD + GB)
C
( GD + DB )
C
( GS + SB )
C
DG
门节点
漏极节点
源节点
反向传输
2.4
1.3
3.5
0.3
3.7
1.7
4.5
0.7
2.4
1.3
3.5
0.3
3.7
1.7
4.5
0.7
2.4
1.3
3.5
0.3
3.7
1.7
4.5
0.7
pF
V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
= V
BS
= -15V