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SST5912 参数 Datasheet PDF下载

SST5912图片预览
型号: SST5912
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内容描述: N沟道JFET单片双 [N-Channel JFET Monolithic Dual]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 31 K
品牌: CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
 浏览型号SST5912的Datasheet PDF文件第2页  
N沟道JFET
单片双
公司
SST5911 / SST5912
特点
描述
该SST5912是高速N沟道JFET单片
对封装在一个表面贴装塑料SO- 8封装。
该设备是专为高增益(通常> 6000
μmhos )
低漏电流( 1pA的<典型值)和低噪声,该SST5912是
差分宽带放大器的最佳选择,
VHF / UHF放大器以及测试和测量。
订购信息
部分
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
SST5912塑料SO- 8封装
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。克
fs
> 6毫秒
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
G
< 1pA的典型
低噪声包
表面贴装
差分宽带放大器
VHF / UHF放大器
测试与测量
应用
注:对于排序芯片载体,见2N5911系列
引脚配置
SO-8
顶视图
(1) S1
(2) D1
(3) G1
( 4 )N / C
N / C( 8 )
G2 (7)
D2 (6)
S2 (5)
CJ1
产品标识
SST5912
SST5912
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数/测试条件
栅 - 漏电压
栅源电压
正向栅电流
功耗(每边)
(总)
功率降额
(每侧)
(总)
工作结温
储存温度
焊接温度( 16"分之1案件从10秒)
符号
V
GD
V
GS
I
G
P
D
极限
-25
-25
50
300
500
2.4
4
-55到150
-65到150
300
单位
V
V
mA
mW
mW
毫瓦/
o
C
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
T
J
T
英镑
T
L