N沟道JFET
单片双
公司
SST5912
特点
描述
该SST5912是高速N沟道JFET单片
对封装在一个表面贴装塑料SO- 8封装。
该设备是专为高增益(通常> 6000
毫姆欧) ,低漏电( < 1pA的典型值)和低噪声,该
SST5912是差分宽带的最佳选择
放大器, VHF / UHF放大器以及测试和测量。
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
SST5912塑料SO- 8封装
•
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。克
fs
> 6毫秒
•
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
G
< 1pA的典型
•
低噪声包
•
表面贴装
•
差分宽带放大器
•
VHF / UHF放大器
•
测试与测量
应用
注:对于排序芯片载体,见2N5911系列
引脚配置
SO-8
顶视图
(1) S1
(2) D1
(3) G1
( 4 )N / C
N / C( 8 )
G2 (7)
D2 (6)
S2 (5)
CJ1
产品标识
SST5912
SST5912