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    X2N7002 参数 Datasheet PDF下载

    X2N7002图片预览
    型号： X2N7002
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOS晶体管 [N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关
    文件页数/大小： 2 页 / 28 K
    品牌： CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
     浏览型号X2N7002的Datasheet PDF文件第1页  
    2N7002
    公司
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25
    o
    C除非另有说明）
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    T
    L
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    1
    功耗
    工作结温范围
    存储温度范围
    焊接温度（ 16"分之1案件从10秒）
    范围
    60
    ±40
    0.115
    0.073
    0.8
    200
    80
    -55到150
    -55到150
    300
    o
    单位
    V
    测试条件
    T
    A
    = 25
    o
    C
    A
    T
    A
    = 100
    o
    C
    T
    A
    = 25
    o
    C
    T
    A
    = 100
    o
    C
    mW
    C
    热电阻额定值
    符号
    R
    thJA
    注意：
    热阻
    结到环境
    范围
    625
    单位
    K / W
    1.脉冲宽度有限的最高结温。
    特定网络阳离子
    1
    符号
    STATIC
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    3
    500
    1000
    5
    r
    DS （ ON）
    漏源导通电阻
    3
    参数
    民
    60
    1
    典型值
    2
    70
    1.9
    最大
    单位
    测试条件
    I
    D
    = 10μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 0.25毫安
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    T
    C
    = 125
    o
    C
    V
    DS
    =
    ≥2V
    DS （ ON）
    , V
    GS
    = 10V
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 50毫安
    T
    C
    = 125
    o
    C
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5A
    T
    C
    = 125
    o
    C
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 50毫安
    2.5
    ±100
    1
    500
    7.5
    13.5
    7.5
    13.5
    0.375
    3.75
    6.75
    V
    nA
    µA
    mA
    9
    2.5
    4.4
    0.25
    Ω
    V
    DS （ ON）
    g
    FS
    g
    OS
    动态
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    开关
    t
    ON
    t
    关闭
    注：1 。
    2.
    3.
    4.
    漏源电压
    3
    1.25
    2.2
    80
    170
    500
    16
    V
    mS
    µS
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5A
    T
    C
    = 125
    o
    C
    4
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.2A
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 50毫安
    正向跨导
    3
    共源输出电导
    3, 4
    输入电容
    输出电容
    4
    50
    25
    5
    pF
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    11
    2
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    T
    A
    = 25
    o
    C除非另有规定ED 。
    对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
    脉冲测试; PW =
    ≤80µS,
    占空比
    ≤1%.
    该参数不符合JEDEC注册。
    7
    7
    20
    nS
    20
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    = 150Ω, I
    D
    = 0.2A
    V
    根
    = 10V ，R
    G
    = 25Ω
    （开关时间基本上是
    独立的工作温度）
    9-4

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