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CAT24C03WI-G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CAT24C03WI-G
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内容描述: 2 - KB I2C CMOS串行EEPROM部分阵列写保护 [2-Kb I2C CMOS Serial EEPROM with Partial Array Write Protection]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 402 K
品牌: CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
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CAT24C03
绝对最大额定值*
储存温度
电压的任何引脚对地
(1)
-65 ° C至+ 150°C
-0.5 V至6.5 V
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,
并且该设备在这些或那些在本规范的业务部门所列出的之外的任何其他条件的功能操作
是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
可靠性的特点
(2)
符号
N
结束
(*)
T
DR
参数
耐力
数据保留
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
( * )页面模式,V
CC
= 5 V ,25°C
直流工作特性
V
CC
= 1.8 V至5.5 V ,T
A
= -40 ° C至85°C ,除非另有规定ED 。
符号
I
CC
I
SB
I
L
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OL2
参数
电源电流
待机电流
I / O引脚漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压
V
CC
> 2.5 V,I
OL
= 3.0毫安
V
CC
> 1.8 V,I
OL
= 1.0毫安
测试条件
读或写在400千赫
所有的I / O引脚的GND或V
CC
在脚GND或V
CC
-0.5
最大
1
2
2
V
CC
x 0.3
单位
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
CC
×0.7 V
CC
+ 0.5
0.4
0.2
PIN阻抗特性
T
A
= 25 ° C,F = 400千赫,V
CC
= 5 V
符号
C
IN(2)
C
IN(2)
Z
WPL
I
LWPH
注意:
( 1 )在任何引脚的直流输入电压不应低于V低于-0.5 V或更高
CC
+ 0.5V的转换过程中,在任何引脚上的电压可能会
下冲,以不低于-1.5伏或过冲,以不高于V更
CC
+ 1.5伏,对于小于20毫微秒周期。
( 2 )这些参数,并初步设计或过程的变化影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
参数
SDA I / O引脚电容
输入电容(其他引脚)
WP输入阻抗低
WP输入高漏
条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
V
IN
& LT ; 0.5 V
V
IN
& GT ; V
CC
x 0.7
最大
8
6
单位
pF
pF
μA
5
70
2
文档。 1113号,版本A
2
©2006 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知