CAT24WC129
128K位I
2
Ç串行EEPROM CMOS
特点
I
1MHz的我
2
C总线兼容*
I
1.8到6伏的操作
I
低功耗CMOS技术
I
64字节页写缓冲
I
自定时写周期自动清零
I
商用，工业和汽车
I
写保护功能
I
100,000编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
8引脚DIP或8引脚SOIC
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
- 前1/4阵列保护时， WP在V
IH
I
可用"Green"封装选项
温度范围
描述
该CAT24WC129是128K位串行CMOS ê
2
舞会
内部组织为每个8位16384字。
Catalyst的先进CMOS技术实质上
引脚配置
DIP封装（P ， L）
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SOIC封装（J ，W ， K，X ）
引脚功能
引脚名称
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
i
D
NC
NC
VSS
NC
1
2
3
4
c
s
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
i
t
n
o
u
n
VCC
VSS
SDA
WP
降低设备功耗的要求。该
CAT24WC129具有64字节页写缓存。
该设备通过I操作
2
C总线串行接口和
采用8引脚DIP或8引脚SOIC封装。
框图
外部负载
d
e
DOUT
确认
控制
逻辑
a
P
t
r
检测放大器
移位寄存器
字地址
缓冲器
COLUMN
解码器
512
START / STOP
逻辑
XDEC
256
EEPROM
256X512
功能
存储数据
串行数据/地址
串行时钟
写保护
+ 1.8V至+ 6V电源
地
SCL
状态计数器
高电压/
定时控制
* Catalyst半导体是由飞利浦公司获发牌进行的I
2
C总线协议。
©2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1079号，第V
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
