CAT28F001
1兆位的CMOS引导块闪存
特点
I
快速读取访问时间:一百二十分之九十〇 NS
I
芯片上地址和数据锁存器
I
封锁架构
英特尔授权
第二个来源
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
深掉电模式
I
I
I
I
I
- 一个8 KB的引导块W /上锁
•顶部或底部位置
- 两个4 KB参数块
- 一个112 KB的主座
低功耗CMOS操作
12.0V
±
5%的编程和擦除电压
自动程序&擦除算法
高速编程
商用,工业和汽车
温度范围
I
I
I
I
I
I
— 0.05
µ
A I
CC
典型
— 0.8
µ
A I
PP
典型
硬件数据保护
电子签名
100000编程/擦除周期和10年
数据保留
JEDEC标准管脚引出线:
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
复位/深度掉电模式
可用"Green"封装选项
描述
该CAT28F001是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统或售后应用
代码更新。
该CAT28F001有一个8阻塞架构
KB引导块,两个4 KB参数块和一个112
KB的主座。引导块部分可以是在顶部
或存储器映射的底部,并包括reprogram-
明写锁定功能,以保证数据的完整性。它
旨在遏制安全的代码,会弹出
系统最小和代码下载到其他某些地区可能
系统蒸发散CAT28F001的。
该CAT28F001被设计为具有签名模式
其允许识别出IC制造商的用户和
设备类型。该CAT28F001还设计有导通
芯片地址锁存器,数据锁存器,编程和
擦除算法。
该CAT28F001使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期,并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP , PLCC和TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
地址
计数器
I / O缓冲器
写状态
机
RP
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE, OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
擦除电压
开关
状态
注册
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
8K字节的引导块
4K字节的参数块
4K字节的参数块
112K字节的主BLOCK
A0–A16
电压以确认
开关
X解码器
比较
©2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知
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文档。 1078号,版本我