CAT28F020
2兆位的CMOS闪存
英特尔授权的第二个来源
特点
I
快速读取访问时间：一百二十分之九十〇 NS
I
低功耗CMOS功耗：
H
根
FR
ALO
EE
LE
I
商用，工业和汽车
A
D
F
R
E
E
TM
温度范围
I
停止定时器编程/擦除
I
芯片上地址和数据锁存器
I
JEDEC标准管脚引出线：
- 活动：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
- 待机： mA（最大值） 1 （ TTL电平）
- 待机： 100
µ
A（最大值） （ CMOS电平）
I
高速编程：
– 10
µ
每个的byte
- 4秒典型芯片项目
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
I
100,000编程/擦除周期
I
10年的数据保存
I
电子签名
I
0.5秒典型芯片擦除
I
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
描述
该CAT28F020是高速256K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F020使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
2,097,152位
内存
ARRAY
5115 FHD F02
A0–A17
X解码器
电压以确认
开关
©2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1029号，版本C
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
