CAT28C256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10
4
或10
5
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.5
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
30
25
1
150
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
I
OH
= –400µA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 25020-0A 2/98号
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
