CAT34WC02
2K位I
2
Ç串行EEPROM ,串行存在检测
特点
s
400千赫(5V)和100千赫(1.8V)予
2
C总线
s
自定时写周期自动清零
s
对于低128字节的软件写保护
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
s
8引脚DIP , 8引脚SOIC和8引脚TSSOP封装
s
256 ×8存储器组织
s
硬件写保护
兼容
s
1.8〜 6.0伏特操作
s
低功耗CMOS技术
- 零待机电流
s
16字节页写缓冲
s
商用,工业和汽车
温度范围
描述
该CAT34WC02是一个2K位串行CMOS EEPROM
内部组织为256个字,每行8位。催化剂的
先进的CMOS技术实质上减少DE-
副电源的要求。该CAT34WC02有
16字节页写缓存。该装置通过操作
I
2
C总线串行接口,并在8引脚DIP , 8
引脚SOIC和8引脚TSSOP封装。
引脚配置
DIP封装( P)
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
A0
A1
A2
VSS
框图
SOIC封装(J )
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
外部负载
DOUT
确认
VCC
VSS
字地址
缓冲器
COLUMN
解码器
检测放大器
移位寄存器
TSSOP封装( U)
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SDA
START / STOP
逻辑
XDEC
WP
控制
逻辑
E
2
舞会
引脚功能
引脚名称
A0, A1, A2
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
功能
器件地址输入
串行数据/地址
串行时钟
写保护
+ 1.8V至+ 6.0V电源
地
SCL
A0
A1
A2
状态计数器
SLAVE
地址
比较
高电压/
定时控制
存储数据
24CXX F03
* Catalyst半导体是由飞利浦公司获发牌进行的I
2
C总线协议。
©2001 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知
1
DOC 1003号,版本A