CAT660
绝对最大额定值
V +至GND ............................................... .............. 6V
存储温度......................... -65℃ 〜160℃
输入电压（引脚1,6和7 ） .. -0.3V到（V + + 0.3V ）
BOOST / FC和OSC输入电压...........最低
负（输出 - 0.3V ）或（ V + - 6V ）至（v + + 0.3V ）
输出短路持续时间为GND .............. 1秒。
（ OUT可以在不损坏接地短路1秒，但
短路输出到V + ，应该避免。 ）
引线焊接温度（ 10秒） ............. 300℃
注：t
A
=环境温度
这些仅仅是极限参数和功能操作不
暗示。暴露于prolongued绝对最大额定值
时间会影响器件的可靠性。所有的电压都是
相对于地面。
工作环境温度范围
CAT660E .............. -40 ° C至85°C
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP ................................................ 730mW
SOIC ................................................. 500mW的........
TDFN ................................................. .............. 1W
电气特性
V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，升压/ FC =打开，C
OSC
= 0pF ，换流器模式与测试电路，如图1 ，除非
另有说明。温度是在工作环境温度范围内，除非另有说明。
参数
电源电压
电源电流
输出电流
输出电阻
符号
VS
IS
IOUT
RO
条件
变频器： LV =打开。 ř
L
= 1kΩ
变频器： LV = GND 。 ř
L
= 1kΩ
倍增： LV = OUT 。 ř
L
= 1kΩ
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
OUT比-4V负
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 150
µF
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5Ω)
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 10
µF
振荡器频率FOSC
（注3）
OSC输入电流
功率英法fi效率
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和
出，T
A
= 25
°
C（倍增）
R
L
= 500Ω连接GND之间
出，T
A
= 25
°
C（逆变器）
I
L
= 100mA至GND ，T
A
= 25
°
C（逆变器）
电压转换
效率
注意： 1。在图1中，测试电路的电容C1和C2是150μF ，具有0.2Ω最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
注2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
保持在0.2Ω外部电容的ESR 。
注3. FOSC是用C测试
OSC
= 100pF电容，以减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0pF模拟电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
民
3.0
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
单位
V
0.09
0.3
100
4
0.5
3
mA
mA
7
Ω
12
5
40
10
80
±1
±5
千赫
µA
%
96
92
98
96
88
VEFF
无负载，T
A
= 25
°
C
99
99.9
%
3
文档。 5000号，第ü
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
