93C46/56/57/66/86
交流特性（ 93C46 / 56 /57/ 66）
范围
V
CC
=
1.8V-6V*
符号参数
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
分钟。
200
0
400
400
1
1
400
10
0.5
0.5
0.5
0.5
500
DC
马克斯。
V
CC
=
2.5V-6V
分钟。
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.25
0.25
0.25
0.25
1000
马克斯。
V
CC
=
4.5V-5.5V
分钟。
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
µs
µs
ns
ms
µs
µs
µs
µs
千赫
C
L
= 100pF的
V
IL
= 0.45V
V
IH
= 2.4V
C
L
= 100pF的
V
OL
= 0.8V
V
OH
= 2.0v
C
L
= 100pF的
TEST
条件
*为93C56 /六十六分之五十七初步数据
交流特性（ 93C86 ）
范围
V
CC
=
1.8V-6V*
符号参数
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
分钟。
200
0
400
400
1
1
400
5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000
DC
马克斯。
V
CC
=
2.5V-6V
分钟。
150
0
250
250
0.5
0.5
200
5
0.1
0.1
0.1
0.1
3000
马克斯。
V
CC
=
4.5V-5.5V
分钟。
50
0
50
50
0.1
0.1
100
5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
µs
µs
ns
ms
µs
µs
µs
µs
千赫
C
L
= 100pF的
V
IL
= 0.45V
V
IH
= 2.4V
C
L
= 100pF的
V
OL
= 0.8V
V
OH
= 2.0v
C
L
= 100pF的
TEST
条件
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。号25056-00 2/98 M-1个
4
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
