CAT93C56/57
（启模E）
2K位Microwire串行EEPROM
特点
I
高速运转： 1MHz的
I
低功耗CMOS技术
I
1.8〜 6.0伏特操作
I
可选x8或x16内存组织
I
自定时写周期自动清零
I
硬件和软件写保护
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
上电时疏忽造成的写保护
I
百万编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
商用，工业和汽车
温度范围
I
顺序读取
I
提供“绿色”封装选项
描述
该CAT93C56 / 57顷2K位串行EEPROM存储器
其被配置为16的任一寄存器中的设备
位（ ORG引脚为V
CC
）或8位（ ORG引脚为GND）。每
通过使用寄存器可以写入（或读取）串行
DI （或DO ）引脚。该CAT93C56 / 57制造
利用Catalyst的先进的CMOS EEPROM浮动
门技术。该装置被设计成承受
百万编程/擦除周期，并有一个数据reten-
重刑百年。该器件采用8引脚DIP ，
8引脚SOIC ， 8引脚TSSOP和8焊盘TDFN封装。
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
功能符号
SOIC封装（J ， W）
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
V
CC
ORG
CS
SK
NC
DI
DO
SOIC封装（S ，V ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
SOIC封装（K ， X）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
1.8至6.0V电源
地
存储器组织
无连接
TSSOP封装（U ， Y）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
DI
DO
V
CC
GND
TDFN封装（ RD4 ， ZD4 ）
VCC
8
NC
7
ORG
6
GND
5
1
CS
2
SK
3
DI
4
DO
ORG
NC
底部视图
注意：当ORG引脚连接到VCC时， X16组织
化选择。当它被连接到地，所述x8的销是
选择。如果ORG引脚悬空，则内部上拉
设备会选择x16组织。
©2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知。
文档。 1088号，第M
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
