键入CD16 & CDV16
缓冲器和RF应用，云母电容器
高dv / dt能力和献媚插入损耗
理想的缓冲器和RF应用， CDV16云母电容器，现在处理的dV /
DTS高达275000 V / μs的，他们保证控制，无共振性能
至1 GHz的。 CDV16 / CD16云母电容器擅长在两个缓冲器的应用
和高频应用，如射频和CATV 。键入CDV16的高脉冲
电流的能力使其非常适用于脉冲缓冲器应用。 CDV16
电容器承受无限脉冲数为275,000的dV / dt
V / μs的。这是在的dV / dt能力提高20％时相比，我们的CDV19
云母电容器和CDV16的较小了。 CDV16电容器更高的处理
峰值电流 - 高达825安培。他们还处理高连续电流有效值
在5MHz和高达30MHz 。例如，一个470 pF的CDV16电容器手柄
6.2连续均方根为13.56MHz ，这是1/4的可比成本
瓷陶瓷电容。除了是伟大的缓冲器， CDV16
是科幻吨的RF应用。其小巧的尺寸和更密切的引线间距
改善插入损耗性能 - 插入损耗数据在佛罗里达州范围内±0.2分贝，
通常要超过千兆赫。
亮点
电容范围：
•处理多达9.0安培RMS连续电流
电容容差：
•极低的ESR为10至100兆赫
•低，切口无阻抗为1GHz的
•稳定：无电容变化（ V） ， （ t）和（ F）
电压：
•在UHF / VHF频率非常高的Q值
温度范围：
•磁带和卷轴可用
• dv / dt能力可达275000 V / μs的
典型性能曲线
• 1500安培峰值电流能力
特定网络阳离子
100 pF至7500 pF的
± 5 ％ （J ）标准;
±1％ （F）和± 2％的
（ G）可
500伏& 1000伏直流
-55 ° C至+150°C
符合RoHS-5
有超过1000ppm的铅在一些homog-
源性材料，但其他方面符合欧盟
指令2002/95 / EC的要求限制
使用铅（Pb ） ，汞（Hg ） ，镉（Cd ）的，
六价铬铬（Cr （ VI ） ） ，多溴双
的苯基（ PBB）和多溴二苯醚
（ PBDE ） 。
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