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1N5525B 参数 Datasheet PDF下载

1N5525B图片预览
型号: 1N5525B
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内容描述: 低反向漏电流特性 [LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小: 2 页 / 102 K
品牌: CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
 浏览型号1N5525B的Datasheet PDF文件第2页  
• 1N5518-1 THRU 1N5546B - 1适用车型
JAN , JANTX和JANTXV
每MIL -PRF- 437分之19500
•低反向漏电流特性
•低噪音的特点
•双封堵施工
•冶金结合
最大额定值
结存储温度: -65 °C至+ 175℃
DC功耗: 500毫瓦@ + 50°C
功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
B-C -D
苏FFI X
最大
直流稳压
当前
1ZM
1N5518直通1N5546D
1N5518B - 1直通1N5546B - 1
JEDEC
TYPE
(注1 )
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
(注2 )
齐纳
TEST
当前
1ZT
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D后缀
ZZT @ 1ZT
(注3)
最大反向
漏电流
lR
(注4 )
VR - 伏特
NON & A-
苏FFI X
B-C -D-
苏FFI X
B-C -D后缀
马克斯。噪音
密度
@1Z=250
µ
A
ND
因素
∆V
Z
(注5 )
VZ
当前
1ZL
MADC
µ
ADC
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
MADC
µ
V/
HZ
MADC
1N5518B
1N5519B
1N5520B
1N5521B
1N5522B
1N5523B
1N5524B
1N5525B
1N5526B
1N5527B
1N5528B
1N5529B
1N5530B
1N5531B
1N5532B
1N5533B
1N5534B
1N5535B
1N5536B
1N5537B
1N5538B
1N5539B
1N5540B
1N5541B
1N5542B
1N5543B
1N5544B
1N5545B
1N5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10
15
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
图1
设计数据
案例:
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料:
铜包钢。
铅表面处理:
锡/铅
热阻(R
OJEC ) :
250℃ / W最大为L = .375英寸
热阻抗: (Z
OJX ) : 35
C / W最高
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
注1
没有后缀类型号码+ 20 %有保证的限制仅VZ ,LR和VF 。单位
以“A”后缀是+ 10%保限制VZ ,LR和VF 。单位担保限额
所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 %的单位, “C”的后缀为+ 2.0 %和“D”后缀
为+ 1.0 % 。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
温度为25℃ + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于1ZT的10%。
注2
注3
注4
注5
反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。
γVZ
为VZ之间的LZT和VZ与测得的最大区别在LZL
在热平衡的器件结在+ 25℃ + 3 ℃的环境温度。
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com