• 1N6638US ， 1N6642US ， 1N6643US AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV
和
JANS
每MIL -PRF-五百七十八分之一万九千五百
• 1N6638U ， 1N6642U ， 1N6643U AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV
和
JANS
每MIL -PRF-五百七十八分之一万九千五百
•开关二极管
•非空心玻璃封装
•冶金结合
1N6638U &美国
1N6642U &美国
1N6643U &美国
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
工作电流： 300毫安
降额4.6毫安/ ° C以上TEC = + 110℃
浪涌电流：I
FSM
= 2.5A ，半正弦波， PW = 8.3ms的
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
V BR
类型
IR @
=100 µA
V RWM
V F1
IFM
= 10毫安
（脉冲的）
V（ PK）
1N6638U &美国
1N6642U &美国
1N6643U &美国
150
100
75
V（ PK）
125
75
50
V DC
0.8
1.0
1.0
V DC
1.1
1.2
1.2
（脉冲的）
mA
200
100
100
V F2
@我F2
TFR
IF
-50毫安
ns
20
20
20
TRR
IR = 10毫安
IF = 10毫安
IREC = 1毫安
ns
4.5
5.0
6.0
暗淡
D
F
G
S
MILLIMETERS
民
最大
1.78
2.16
0.48
0.71
4.19
4.95
0.08MIN.
英寸
最小最大
0.070 0.085
0.019 0.028
0.165 0.195
0.003MIN.
图1
设计数据
案例：
D- 5D所示，气密密封的玻璃
情况下，每MIL - PRF-五百七十八分之一万九千五
铅表面处理：
锡/铅
我R1
类型
VR
= 20 V
nA的DC
我R2
@V ř
= V RWM
μA DC
我R3
V R = 20 V
TA = 150℃
μA DC
我R4
V R = V RWM
TA = 150℃
μA DC
ç T1
VR-
0V
pF
ç T2
VR-
1.5V
pF
热阻（R
OJEC ） ：
50 C / W最高为L = 0
热阻抗： （Z
OJX ） ： 25
C / W最高
极性：
阴极到底是带状。
1N6638U &美国
1N6642U &美国
1N6643U &美国
35
25
50
0.5
0.5
0.5
50
50
75
100
100
160
2.5
5.0
5.0
2.0
2.8
2.8
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 4PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
